TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
45.7V Clamp 13.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMB
得捷:
TVS DIODE 28.2V 45.7V DO214AA
贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 33V Bidirect
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2-Pin SMB T/R
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2-Pin SMB T/R
TME:
Diode: transil; 600W; 33V; bidirectional; DO214AA
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 28.2V 600W 2-Pin SMB T/R
工作电压 28.2 V
额定功率 600 W
击穿电压 31.4 V
电路数 1
钳位电压 45.7 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 31.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA-2
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.24 mm
封装 DO-214AA-2
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
P6SMB33CA-E3/52 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
P6SMB33CA-E3/5B 威世 | 完全替代 | P6SMB33CA-E3/52和P6SMB33CA-E3/5B的区别 |
P6SMB33CAHE3/52 威世 | 完全替代 | P6SMB33CA-E3/52和P6SMB33CAHE3/52的区别 |
SM6T33CA-M3/5B 威世 | 类似代替 | P6SMB33CA-E3/52和SM6T33CA-M3/5B的区别 |