PHK12NQ10T,518参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHK12NQ10T,518概述

SO N-CH 100V 11.6A

N-Channel 100V 11.6A Tc 8.9W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

PHK12NQ10T,518中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 8.9 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 11.6 A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 1965pF @25VVds

下降时间 11 ns

耗散功率Max 8.9W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHK12NQ10T,518

型号： PHK12NQ10T,518

描述：SO N-CH 100V 11.6A

替代型号PHK12NQ10T,518