PT928-6B-F概述
Phototransistor IR Chip Silicon 860nm 2Pin Side Looker Bag
Phototransistors 940nm Side View Radial, Side View
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PT928-6B-F
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PT928-6B-F中文资料参数规格
技术参数
波长 860 nm
峰值波长 860 nm
耗散功率 75 mW
上升时间 15000 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
下降时间 15000 ns
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Radial, Side View
外形尺寸
封装 Radial, Side View
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PT928-6B-F
型号： PT928-6B-F
描述：Phototransistor IR Chip Silicon 860nm 2Pin Side Looker Bag