PT26-21B/TR8概述
红外线接收管侧面接收 反贴式 编带
Infrared Phototransistor
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红外线接收管侧面接收 反贴式
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SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 1206
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光电晶体管 Phototransistor
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Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin SMD T/R
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Infrared Phototransistor
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**PHOTOTRANSISTOR 1206 LENS CLEAR **
PT26-21B/TR8中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 15000 ns
波长 940 nm
峰值波长 880 nm
耗散功率 75 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 75 mW
下降时间 15 µs
下降时间Max 20000 ns
上升时间Max 20000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 1.6 mm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PT26-21B/TR8