PH8230E,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
输入电容Ciss 1400pF @10VVds
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PH8230E,115
型号： PH8230E,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
替代型号PH8230E,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PH8230E,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PH8230E 恩智浦 | 完全替代 | PH8230E,115和PH8230E的区别 |