Phototransistor Chip Silicon 860nm 2Pin
Phototransistors 860nm Side View Radial
得捷: SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW RAD
AMEYA360: PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE
波长 860 nm
视角 70°
峰值波长 860 nm
耗散功率 75 mW
上升时间 3.00 µs
击穿电压集电极-发射极 35 V
额定功率Max 75 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Radial
高度 3.5 mm
材质 Silicon
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册