PT331C

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PT331C中文资料参数规格
技术参数

峰值波长 940 nm

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

封装 T-1

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PT331C
型号: PT331C
制造商: Everlight Electronics 亿光
描述:Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2Pin T-1 3/4
替代型号PT331C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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