PT5529B/L2/H2-F概述
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3Pin Bag
Phototransistors 940nm Side View Radial - 3 Leads
得捷:
SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
立创商城:
PT5529B/L2/H2-F
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
Win Source:
PHOTOTRANSISTOR SIDE BLACK RAD
PT5529B/L2/H2-F中文资料参数规格
技术参数
波长 940 nm
峰值波长 940 nm
耗散功率 75 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 75 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 Radial - 3 Leads
外形尺寸
封装 Radial - 3 Leads
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PT5529B/L2/H2-F
型号： PT5529B/L2/H2-F
描述：Phototransistor Chip Silicon 940nm 3Pin Bag