PTFA091503ELV4R250XTMA1

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PTFA091503ELV4R250XTMA1概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

Summary of Features:

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Broadband internal matching
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Typical two-carrier WCDMA performance at 960 MHz, 30 V

\- Average output power = 32 W

\- Linear Gain = 17 dB

\- Efficiency = 29%

\- Intermodulation distortion = –37 dBc

\- Adjacent channel power = –39 dBc

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Typical CW performance, 960 MHz, 30 V,

\- Output power at P1dB = 150 W

\- Linear Gain = 17 dB

\- Efficiency = 54%

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Integrated ESD protection. Human Body Model, Class 2 minimum
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Excellent thermal stability, low HCI drift
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Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V,150 W CW output power
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Pb-free, RoHS-compliant
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Package: H-33288-6, bolt-down
PTFA091503ELV4R250XTMA1中文资料参数规格
技术参数

输出功率 150 W

增益 17.0 dB

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 30.0 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 H-33288-6

外形尺寸

高度 4.04 mm

封装 H-33288-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTFA091503ELV4R250XTMA1
型号: PTFA091503ELV4R250XTMA1
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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