PTFC260202FCV1XWSA1

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PTFC260202FCV1XWSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.69 GHz

输出功率 5 W

增益 20 dB

测试电流 170 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 H-37248-4

外形尺寸

封装 H-37248-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTFC260202FCV1XWSA1
型号: PTFC260202FCV1XWSA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M

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