PN2222BU参数规格_中文资料_数据手册PDF

PN2222BU概述

NPN外延硅晶体管绝对最大额定值大= 25° C除非另有说明 NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25Â°C unless otherwise noted

General Purpose Transistor

得捷:
TRANS NPN 30V 0.6A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

PN2222BU中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PN2222BU

型号： PN2222BU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管绝对最大额定值大= 25° C除非另有说明 NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25Â°C unless otherwise noted

替代型号PN2222BU