PN200概述
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
PN200中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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