NPN硅高压晶体管表面贴装 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| high-voltage transistor surface mount NPN Silicon 描述与应用| 高电压表面贴装 NPN硅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PZTA42T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PZTA42T1G 安森美 | 完全替代 | PZTA42T1和PZTA42T1G的区别 |
SPZTA42T1G 安森美 | 类似代替 | PZTA42T1和SPZTA42T1G的区别 |
PZTA42E6327 英飞凌 | 类似代替 | PZTA42T1和PZTA42E6327的区别 |