PZTA42T1

PZTA42T1图片1
PZTA42T1图片2
PZTA42T1图片3
PZTA42T1图片4
PZTA42T1图片5
PZTA42T1图片6
PZTA42T1概述

NPN硅高压晶体管表面贴装 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| high-voltage transistor surface mount NPN Silicon 描述与应用| 高电压表面贴装 NPN硅

PZTA42T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PZTA42T1
型号: PZTA42T1
描述:NPN硅高压晶体管表面贴装 NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT
替代型号PZTA42T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PZTA42T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

PZTA42T1G

安森美

完全替代

PZTA42T1和PZTA42T1G的区别

SPZTA42T1G

安森美

类似代替

PZTA42T1和SPZTA42T1G的区别

PZTA42E6327

英飞凌

类似代替

PZTA42T1和PZTA42E6327的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台