PHB108NQ03LT,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHB108NQ03LT,118概述

Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

表面贴装型 N 通道 25 V 75A（Tc） 187W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK

贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

PHB108NQ03LT,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 187 W

漏源极电压Vds 25 V

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 1375pF @12VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 187W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB108NQ03LT,118

型号： PHB108NQ03LT,118

描述：Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号PHB108NQ03LT,118