P1086_D75Z

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P1086_D75Z中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 30.0 V

漏源极电阻 75 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 45pF @15VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买P1086_D75Z
型号: P1086_D75Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92

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