PH20100S,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PH20100S,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 34.3 A

输入电容Ciss 2264pF @25VVds

额定功率Max 62.5 W

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PH20100S,115

型号： PH20100S,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET

替代型号PH20100S,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PH20100S,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PSMN017-60YS 恩智浦	类似代替	PH20100S,115和PSMN017-60YS的区别
PSMN3R3-40YS 恩智浦	类似代替	PH20100S,115和PSMN3R3-40YS的区别
PSMN8R5-60YS 恩智浦	类似代替	PH20100S,115和PSMN8R5-60YS的区别