PSMN3R8-30LL,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN3R8-30LL,115概述

PSMN3R8-30LL - N沟道DFN3333-8 30 V 3.7 mΩ逻辑电平MOSFET

N-Channel 30V 40A Tc 69W Tc Surface Mount 8-DFN3333 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin QFN EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin QFN EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V QFN3333

PSMN3R8-30LL,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 69W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 2085pF @15VVds

额定功率Max 69 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN3333-8

外形尺寸

封装 DFN3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN3R8-30LL,115

型号： PSMN3R8-30LL,115

描述：PSMN3R8-30LL - N沟道DFN3333-8 30 V 3.7 mΩ逻辑电平MOSFET