PHD34NQ10T,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHD34NQ10T,118概述

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 100V 35A Tc 136W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

PHD34NQ10T,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 1704pF @25VVds

额定功率Max 136 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD34NQ10T,118

型号： PHD34NQ10T,118

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号PHD34NQ10T,118