PHB11N06LT,118概述
D2PAK N-CH 55V 10.3A
表面贴装型 N 通道 55 V 10.3A（Tc） 33W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 10.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
PHB11N06LT,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 10.3A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 33W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free