PMFPB6532UP,115概述
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6Pin DFN EP T/R
表面贴装型 P 通道 3.5A（Ta） 520mW（Ta），8.3W（Tc） DFN2020-6
得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
PMFPB6532UP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 520mW Ta, 8.3W Tc
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 380pF @10VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520mW Ta, 8.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DFN2020-6
外形尺寸
封装 DFN2020-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PMFPB6532UP,115
替代型号PMFPB6532UP,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMFPB6532UP,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMFPB8032XP,115 恩智浦 | 类似代替 | PMFPB6532UP,115和PMFPB8032XP,115的区别 |