PMDPB65UP,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMDPB65UP,115概述

DFN P-CH 20V 3.5A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.5A 520mW 表面贴装型 DFN2020-6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

PMDPB65UP,115中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 380pF @10VVds

额定功率Max 520 mW

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMDPB65UP,115

型号： PMDPB65UP,115

描述：DFN P-CH 20V 3.5A

替代型号PMDPB65UP,115