DPAK N-CH 30V 43.4A
N-Channel 30V 43.4A Tc 57.6W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
极性 N-CH
耗散功率 57.6 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 43.4A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 57.6 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PHD36N03LT,118 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PHD36N03LT 恩智浦 | 完全替代 | PHD36N03LT,118和PHD36N03LT的区别 |
CSD17308Q3 德州仪器 | 功能相似 | PHD36N03LT,118和CSD17308Q3的区别 |