PCP1203-TD-H

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PCP1203-TD-H概述

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 500MHz 表面贴装型 PCP


得捷:
TRANS NPN 30V 1.5A PCP


立创商城:
NPN 30V 1.5A


欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi PCP1203-TD-H NPN Bipolar Transistor, 1.5 A, 30 V, 4-Pin PCP


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


PCP1203-TD-H中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PCP1203-TD-H
型号: PCP1203-TD-H
描述:PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号PCP1203-TD-H
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ON Semiconductor 安森美

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