通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PN2907AG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC33725BU 安森美 | 类似代替 | PN2907AG和BC33725BU的区别 |
BC33716BU 安森美 | 类似代替 | PN2907AG和BC33716BU的区别 |
KSP2907ABU 飞兆/仙童 | 功能相似 | PN2907AG和KSP2907ABU的区别 |