PMBTA56,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMBTA56,215概述

NXP PMBTA56,215. 双极性晶体管, PNP, -80V, -500mA, 3-SOT-23

The is a PNP General Purpose Transistor housed in a surface-mount plastic package. It is suitable for use with the general purpose switching and amplification.

.: High current

.: Low voltage

.: NPN complement is PMBTA06

.: 2G Marking code

PMBTA56,215中文资料参数规格

技术参数

频率 50 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PMBTA56,215

型号： PMBTA56,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PMBTA56,215. 双极性晶体管, PNP, -80V, -500mA, 3-SOT-23

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