P6KE10C参数规格_中文资料_数据手册PDF

P6KE10C概述

硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

15.23V 夹子 - Ipp TVS - 通孔 DO-204AC（DO-15）

得捷:
TVS DIODE 8.55VWM 15.23V DO204AC

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 8.55V 600W 2-Pin DO-15

Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 8.1V 600W 2-Pin DO-15

P6KE10C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 10.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 9 V

电路数 1

钳位电压 15 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 9 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AC

外形尺寸

长度 7.60 mm

直径 3.60 mm

封装 DO-204AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6KE10C引脚图与封装图

在线购买P6KE10C

型号： P6KE10C

描述：硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

替代型号P6KE10C