P6KE11C参数规格_中文资料_数据手册PDF

P6KE11C概述

硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

16.38V 夹子 - Ipp TVS - 通孔 DO-204AC（DO-15）

得捷:
TVS DIODE 9.4VWM 16.38VC DO204AC

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 8.92Vr 600W 37A 10% Bi-Directional

P6KE11C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 11.0 V

工作电压 9.4 V

额定功率 600 W

击穿电压 12.155 V

钳位电压 16.38 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 9.95 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AC-2

外形尺寸

长度 7.60 mm

直径 3.60 mm

封装 DO-204AC-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6KE11C引脚图与封装图

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型号： P6KE11C

描述：硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes