P6KE9.1C

P6KE9.1C图片1
P6KE9.1C图片2
P6KE9.1C图片3
P6KE9.1C概述

硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

Protect sensitive electronics against voltage transients induced by inductive load switching and lightning. Ideal for the protection of I/O interfaces, Vcc bus, and other integrated circuits.

FEATURES

• Breakdown voltage range 6.8 to 440 Volts

• Uni-directional and Bi-directional

• Glass passivated junction

• Excellent clamping capability

• 100% surge tested

• UL recognised


得捷:
TVS DIODE 7.78VWM 14.07VC DO15


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 7.37V 600W 2-Pin DO-15


P6KE9.1C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 91.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 9.55 V

电路数 1

钳位电压 13.8 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 8.19 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AC

外形尺寸

长度 7.60 mm

直径 3.60 mm

封装 DO-204AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6KE9.1C引脚图与封装图
P6KE9.1C引脚图
P6KE9.1C封装图
P6KE9.1C封装焊盘图
在线购买P6KE9.1C
型号: P6KE9.1C
描述:硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
替代型号P6KE9.1C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P6KE9.1C

Littelfuse 力特

当前型号

当前型号

P6KE9.1CA-B

力特

类似代替

P6KE9.1C和P6KE9.1CA-B的区别

P6KE9.1CA-TP

美微科

功能相似

P6KE9.1C和P6KE9.1CA-TP的区别

P6KE9.1CA

HY Electronic

功能相似

P6KE9.1C和P6KE9.1CA的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司