P4KE11A-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

P4KE11A-G概述

Diode TVS Single Uni-Dir 9.4V 400W 2Pin DO-41 Ammo

Stand-off Voltage: 6.8 ~ 600V

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

Features

-Glass passivated chip

-Low leakage

-Uni and Bidirection unit

-Excellent clamping capability

-The plastic material has UL recognition 94V-0

-Fast response time: typically less than 1.0pS from 0 volts to BV min

立创商城:
Vrwm:9.4V 400W

得捷:
TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO41

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 9.4V 400W 2-Pin DO-41 Ammo

P4KE11A-G中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 15.6 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 10.45 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P4KE11A-G引脚图与封装图

在线购买P4KE11A-G

型号： P4KE11A-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 9.4V 400W 2Pin DO-41 Ammo

替代型号P4KE11A-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
P4KE11A-G Comchip Technology 上华科技	当前型号	当前型号
P4KE11A 美高森美	功能相似	P4KE11A-G和P4KE11A的区别
P4KE11A-T3 Sensitron Semiconductor	功能相似	P4KE11A-G和P4KE11A-T3的区别
P4KE11AE3 美高森美	功能相似	P4KE11A-G和P4KE11AE3的区别