P4KE75A-G

P4KE75A-G图片1
P4KE75A-G图片2
P4KE75A-G概述

DO-41 64.1V 400W

Stand-off Voltage: 6.8 ~ 600V

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

Features

-Glass passivated chip

-Low leakage

-Uni and Bidirection unit

-Excellent clamping capability

-The plastic material has UL recognition 94V-0

-Fast response time: typically less than 1.0pS from 0 volts to BV min


得捷:
TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41


立创商城:
Vrwm:64.1V 400W


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 64.1V 400W 2-Pin DO-41 Ammo


P4KE75A-G中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 103 V

最大反向电压(Vrrm) 64.1V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 71.25 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P4KE75A-G引脚图与封装图
P4KE75A-G引脚图
P4KE75A-G封装图
P4KE75A-G封装焊盘图
在线购买P4KE75A-G
型号: P4KE75A-G
制造商: Comchip Technology 上华科技
描述:DO-41 64.1V 400W
替代型号P4KE75A-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P4KE75A-G

Comchip Technology 上华科技

当前型号

当前型号

P4KE75A

美高森美

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P4KE75A-G和P4KE75A的区别

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