P4KE350C-G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

P4KE350C-G图片1

P4KE350C-G概述

TVS 400W 350V 10% BIDIR DO-41

504V 夹子 790mA Ipp TVS - 通孔 DO-41

得捷:
TVS DIODE 284VWM 504VC DO41

P4KE350C-G中文资料参数规格

技术参数

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 315 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买P4KE350C-G

型号： P4KE350C-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：TVS 400W 350V 10% BIDIR DO-41

替代型号P4KE350C-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
P4KE350C-G Comchip Technology 上华科技	当前型号	当前型号
BZW04P299B 威世	功能相似	P4KE350C-G和BZW04P299B的区别
P4KE350C-GT3 Sensitron Semiconductor	功能相似	P4KE350C-G和P4KE350C-GT3的区别
P4KE350C-T3 Sensitron Semiconductor	功能相似	P4KE350C-G和P4KE350C-T3的区别