PTZTE254.7B

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PTZTE254.7B概述

ROHM  PTZTE254.7B  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 4.7V \---|--- 平均Typ.| 4.924V 最大max.| 5.2V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 10Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 20uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 1W Description & Applications| Zener diode Voltage regulation Small power mold type. PMDS High ESD tolerance Silicon epitaxial planar 描述与应用| 齐纳 电压调节 小功率模具类型。 (PMDS) 高耐ESD 硅外延平面


立创商城:
PTZTE254.7B


得捷:
DIODE ZENER 4.9V 1W PMDS


欧时:
ROHM PTZTE254.7B 单路 齐纳二极管, 4.9V 5% 1 W, 2引脚 SOD-106封装


e络盟:
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C


安富利:
Diode Zener Single 4.924V 5% 1W 2-Pin PMDS T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 4.7V 5% 1W Automotive 2-Pin PMDS T/R


Verical:
Zener Diode Single 4.7V 5% 10Ohm 1000mW 2-Pin PMDS T/R


Newark:
# ROHM  PTZTE254.7B  Zener Single Diode, 4.7 V, 1 W, SOD-106, 2 Pins, 150 °C


儒卓力:
**Z-DIODE 1,0W 4,7V SMA **


Win Source:
DIODE ZENER 4.9V 1W PMDS


PTZTE254.7B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.70 V

容差 ±5 %

额定功率 1.00 W

针脚数 2

耗散功率 1 W

测试电流 40 mA

稳压值 4.7 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-106-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.9 mm

封装 SOD-106-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 -1.7 mV/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PTZTE254.7B
型号: PTZTE254.7B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  PTZTE254.7B  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C
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PTZTE254.7B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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PDZVTR4.7B

罗姆半导体

功能相似

PTZTE254.7B和PDZVTR4.7B的区别

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