PTZTE257.5B

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PTZTE257.5B概述

1000mW,PTZ 系列,ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 7.5V \---|--- 平均Typ.| 7.889V 最大max.| 8.4V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 4Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 20uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 1W Description & Applications| Zener diode Voltage regulation Small power mold type. PMDS High ESD tolerance Silicon epitaxial planar 描述与应用| 齐纳 电压调节 小功率模具类型。 (PMDS) 高耐ESD 硅外延平面


得捷:
DIODE ZENER 7.9V 1W PMDS


立创商城:
1W


欧时:
ROHM PTZTE257.5B 单路 齐纳二极管, 7.5V 6% 1 W, 2引脚 SOD-106封装


贸泽:
稳压二极管 7.5V 40MA


艾睿:
Diode Zener Single 7.5V 6% 1000mW 2-Pin PMDS T/R


安富利:
Diode Zener Single 7.889V 6% 1W 2-Pin PMDS T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 7.889V 6% 1W 2-Pin PMDS T/R


Verical:
Diode Zener Single 7.5V 6% 1000mW 2-Pin PMDS T/R


Win Source:
DIODE ZENER 7.9V 1W PMDS


PTZTE257.5B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.50 V

容差 ±6 %

额定功率 1.00 W

耗散功率 1 W

测试电流 40 mA

稳压值 7.889 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-106-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.9 mm

封装 SOD-106-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 4.2 mV/℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTZTE257.5B
型号: PTZTE257.5B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:1000mW,PTZ 系列,ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor
替代型号PTZTE257.5B
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