NXP PDTA114YT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23
The is a PNP Resistor Equipped Transistor RET encapsulated in surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
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- 100mA Output current capability
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- Reduces component count
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- AEC-Q101 Qualified
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA114YT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2111T1G 安森美 | 功能相似 | PDTA114YT,215和MUN2111T1G的区别 |
MMUN2111LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTA114YT,215和MMUN2111LT1G的区别 |