PZM9.1NB2,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PZM9.1NB2,115概述

MPAK 9.04V 300mW

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 SMT3; MPAK

得捷:
DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3

Win Source:
DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3

PZM9.1NB2,115中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

稳压值 9.1 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PZM9.1NB2,115

型号： PZM9.1NB2,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：MPAK 9.04V 300mW

替代型号PZM9.1NB2,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PZM9.1NB2,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PZM9.1NB3 恩智浦	功能相似	PZM9.1NB2,115和PZM9.1NB3的区别
PZM9.1NB2 恩智浦	功能相似	PZM9.1NB2,115和PZM9.1NB2的区别
PZM9.1NB 恩智浦	功能相似	PZM9.1NB2,115和PZM9.1NB的区别