PZM6.8NB,115

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PZM6.8NB,115概述

MPAK 6.805V 300mW

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 SMT3; MPAK


得捷:
DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3


Win Source:
DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3


PZM6.8NB,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 300 mW

稳压值 6.8 V

正向电压Max 1.1V @100mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PZM6.8NB,115
型号: PZM6.8NB,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:MPAK 6.805V 300mW
替代型号PZM6.8NB,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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