PMD9002D,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PMD9002D,115图片1

PMD9002D,115图片2

PMD9002D,115图片3

PMD9002D,115图片4

PMD9002D,115图片5

PMD9002D,115图片6

PMD9002D,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-457

外形尺寸

封装 TSOP-457

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 MOSFET 驱动器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMD9002D,115

型号： PMD9002D,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PMD9002D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6针 TSOP封装

替代型号PMD9002D,115

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PMD9002D,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMD9002D

恩智浦

功能相似

PMD9002D,115和PMD9002D的区别