PDTA114TT,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PDTA114TT,215
型号： PDTA114TT,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTA114TT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
替代型号PDTA114TT,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA114TT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2115LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTA114TT,215和MMUN2115LT1G的区别 |
FJV4106RMTF 飞兆/仙童 | 功能相似 | PDTA114TT,215和FJV4106RMTF的区别 |