PNP硅外延晶体管 PNP Silicon Epitaxial Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 600 mA 200MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223
得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
耗散功率 1.5 W
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PZT2907AT3 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PZT2907AT1G 安森美 | 类似代替 | PZT2907AT3和PZT2907AT1G的区别 |
PZT2907AT3G 安森美 | 类似代替 | PZT2907AT3和PZT2907AT3G的区别 |
PZT2907A 安森美 | 类似代替 | PZT2907AT3和PZT2907A的区别 |