PDTA114EK,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA114EK,115概述

MPAK PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin MPAK T/R

PDTA114EK,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA114EK,115

型号： PDTA114EK,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：MPAK PNP 50V 100mA

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替代型号PDTA114EK,115

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