PDTC123EK,115

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PDTC123EK,115概述

MPAK NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin MPAK T/R


PDTC123EK,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC123EK,115
型号: PDTC123EK,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:MPAK NPN 50V 100mA

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