PBRN113ES,126

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PBRN113ES,126概述

双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3


PBRN113ES,126中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 800mA

最小电流放大倍数hFE 180 @300mA, 5V

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBRN113ES,126
型号: PBRN113ES,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS

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