PDTC144ES,126

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PDTC144ES,126概述

SPT NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3


PDTC144ES,126中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC144ES,126
型号: PDTC144ES,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT NPN 50V 100mA
替代型号PDTC144ES,126
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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