PDTA115ES,126参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA115ES,126概述

SPT PNP 50V 20mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BISS AMMO LARGE

PDTA115ES,126中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA115ES,126

型号： PDTA115ES,126

描述：SPT PNP 50V 20mA