PDTA123YS,126

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PDTA123YS,126概述

SPT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BISS AMMO LARGE


PDTA123YS,126中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA123YS,126
型号: PDTA123YS,126
制造商: NXP 恩智浦
描述:SPT PNP 50V 100mA

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