PDTD113ZK,115

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PDTD113ZK,115概述

双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 250 mW 表面贴装型 SMT3; MPAK


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7


PDTD113ZK,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTD113ZK,115
型号: PDTD113ZK,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
替代型号PDTD113ZK,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTD113ZK,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BCR523E6327HTSA1

英飞凌

功能相似

PDTD113ZK,115和BCR523E6327HTSA1的区别

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