PDTC123YK,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC123YK,115概述

MPAK NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin MPAK T/R

PDTC123YK,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC123YK,115

型号： PDTC123YK,115

描述：MPAK NPN 50V 100mA

替代型号PDTC123YK,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTC123YK,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PDTC123YK 恩智浦	完全替代	PDTC123YK,115和PDTC123YK的区别

型号/品牌

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替代型号对比

PDTC123YK,115

NXP 恩智浦

当前型号

PDTC123YK

恩智浦

完全替代