NXP PMF290XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V
N-Channel 20V 1A Tc 560mW Tc Surface Mount SOT-323-3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323-3
e络盟:
NXP PMF290XN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 560 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
输入电容Ciss 34pF @20VVds
额定功率Max 560 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 560mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMF290XN,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMF280UN,115 恩智浦 | 类似代替 | PMF290XN,115和PMF280UN,115的区别 |
PMF280UN 恩智浦 | 功能相似 | PMF290XN,115和PMF280UN的区别 |