PUMH11F

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PUMH11F中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PUMH11F
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R

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