PDTC123JU

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PDTC123JU概述

NXP  PDTC123JU  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE

The is a 2.2 to 47kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a very small surface-mount device plastic package.

.
Reduces component count
.
Built-in bias resistors
.
Reduces pick and place costs
.
Simplifies circuit design
.
AEC-Q101 qualified
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PNP complement is PDTA123JU
.
49 Marking code
PDTC123JU中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTC123JU引脚图与封装图
PDTC123JU引脚图
PDTC123JU封装图
PDTC123JU封装焊盘图
在线购买PDTC123JU
型号: PDTC123JU
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC123JU  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号PDTC123JU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC123JU

NXP 恩智浦

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当前型号

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恩智浦

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