NXP PDTC123JU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
The is a 2.2 to 47kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a very small surface-mount device plastic package.
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
PDTC123JU NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTC123EE 恩智浦 | 类似代替 | PDTC123JU和PDTC123EE的区别 |
MUN5235T1G 安森美 | 功能相似 | PDTC123JU和MUN5235T1G的区别 |
DTC123EM3T5G 安森美 | 功能相似 | PDTC123JU和DTC123EM3T5G的区别 |